Носители электрического заряда
Автор Прогнуться задал вопрос в разделе Образование
Что такое основные и не основные носители заряда? и получил лучший ответ
Ответ от Игорь Гаген[гуру]
В полупроводниках носителями заряда являются электроны и дырки. Отношение их концентраций определяет тип проводимости полупроводника.
Если значительно преобладают электроны, то такой полупроводник называется полупроводником n-типа. Электроны, в этом случае, называются основными носителями заряда, а дырки — неосновными.
Соответственно, если преобладают дырки, то полупроводник является полупроводником p-типа, дырки — основными носителями, а электроны неосновными.
Если положительный потенциал приложен к p-области, то потенциальный барьер понижается (прямое смещение). В этом случае с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей, способных преодолеть барьер. Как только эти носители миновали p — n-переход, они становятся неосновными. Поэтому концентрация неосновных носителей по обе стороны перехода увеличивается (инжекция неосновных носителей). Одновременно в p- и n-областях через контакты входят равные количества основных носителей, вызывающих компенсацию зарядов инжектированных носителей. В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через переход, который с ростом напряжения экспоненциально возрастает.
Приложение отрицательного потенциала к p-области (обратное смещение) приводит к повышению потенциального барьера. Диффузия основных носителей через переход становится пренебрежимо малой. В то же время потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьера не существует). Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p—n-переход и проходят через него в соседнюю область (экстракция неосновных носителей).
Неосновные -- это дырки в n-области и электроны в p-области. Их наличие вызвано диффузией.
На добавочный вопрос: при приложении обратного напряжения кроме диффузии неосновные носители "подгоняются" еще и эл. полем
n переход
Дырочно-электронный переход - область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла.
Вблизи контакта происходит взаимная диффузия носителей зарядов, которая приводит к образованию запирающего электрического слоя. Электрическое поле этого слоя препятствует дальнейшей диффузии носителей зарядов.
Если полупроводник n-типа соединен с положительным полюсом источником тока, а полупроводник p-типа - с отрицательным полюсом, то ширина запирающего слоя увеличивается и сопротивление p-n перехода возрастает.
При обратном подключении источника тока ширина запирающего слоя и сопротивление p-n перехода уменьшается.
Неосновные носители заряда - в полупроводниках - носители заряда, концентрация которых не определяет тип проводимости. Обычно концентрация неосновных носителей зарядов намного меньше концентрации основных носителей.
В полупроводниках n-типа неосновными носителями заряда являются дырки.
В полупроводниках p-типа неосновными носителями заряда являются электроны
Основные носители заряда - в полупроводниках - носители заряда, концентрация которых определяет тип проводимости.
В полупроводниках n-типа основными носителями заряда являются электроны.
В полупроводниках p-типа основными носителями заряда являются дырки.
Вызваны типом примеси (донорная или акцепторная). Дырки - это вакансии для электронов на последнем электронном уровне. Область с дырками называется р.
n-область - это область с недостатком вакансий (избытком свободных электронов).
В р-области электроны движутся скачками от дырки к дырке. В п-области как в проводнике.